Основное определение диэлектрического постоянного тестера

Согласно результатам исследований электростатики, изолированный заряд Q в вакууме генерирует электрическое поле E вокруг него, и применяется сила электрического поля, когда другой тестовый Q0 входит в электрическое поле. Прочность на электрическом поле, создаваемое зарядом Q, является:

Где ε0 является диэлектрической постоянной в вакууме; r - радиальное расстояние от точечного заряда q. В целом, прочность на электрическом поле является вектором. Сила электрического поля, испытываемое испытательным зарядом Q0 на расстоянии r от заряда Q:

Согласно свойству реакции силы, заряд Q также влияет сила электрического поля, генерируемого тестовым зарядом Q0, а величина силы равна и противоположна. Согласно уравнению (1), диэлектрическая постоянная ε0 в вакууме характеризует величину силы электрического поля, генерируемой изолированным зарядом Q на данном расстоянии r. Если условие вакуума в уравнении (1) заменяется диэлектриком, прочность на электрическом поле, создаваемое тем же изолированным зарядом Q, будет выражена как

Где ε - диэлектрическая постоянная диэлектрика. В практических применениях диэлектрическая постоянная ε0 в вакууме обычно выбирается в качестве эталона, а отношение диэлектрической постоянной ε диэлектрической к ε0 определяется как безразмерная относительная диэлектрическая проницаемость εR, как в уравнении (4). Показывать:

Поскольку вакуум является идеальной диэлектрической моделью (без атомов, молекул), электрическое поле, генерируемое исходным зарядом Q, уменьшается в фактическом диэлектрике из -за эффекта связанного заряда, что вряд ли произойдет в вакууме. Следовательно, относительная диэлектрическая постоянная ER для фактического диэлектрика всегда удовлетворяет большему или равному 1.

Из уравнения (3) можно увидеть, что диэлектрическая постоянная ε представляет собой ограничение на величину прочности электрического поля, генерируемой зарядом Q в диэлектрике (в дополнение к расстоянию, это также единственное ограничение). Очевидно, что этот вывод полностью приемлем в случае электростатического поля, но, кажется, несколько неадекватно применять этот вывод непосредственно к переменному электрическому полю. Исследование механизма микроскопического представления и макроскопического эффекта диэлектрика под чередующимся электрическим полем достигли некоторых результатов, но он все еще нуждается в дальнейших исследованиях. Это также одно из важных направлений исследования и содержания диэлектрической физики и квантовой физики.

Можно подтвердить, что свойство, характеризуемое диэлектрической постоянной диэлектрика, также влияет на переменное электрическое поле в случае переменного электрического поля. Например, скорость распространения переменного электрического поля в диэлектрике уменьшится, частота будет постоянной, длина волны будет короче (теория электромагнитного распространения), а диэлектрическая постоянная будет больше, а соответствующее изменение будет больше.

Основное определение диэлектрического постоянного тестера

Основные технические индикаторы диэлектрического постоянного тестера:

2.1 TanΔ и ε производительность:

2.1.1 Тест TAN Δ и ε -изменений твердых изоляционных материалов с частотами испытаний от 10 кГц до 120 МГц.

2.1.2 TanΔ и ε -измерение диапазона:

Tan Δ: от 0,1 до 0,00005, ε: от 1 до 50

2.1.3 TanΔ и ε Точность измерения (1 МГц):

TanΔ: ± 5%± 0,00005, ε: ± 2%

Рабочий диапазон частот: 50 кГц ~ 50 МГц четырехзначный дисплей, осциллятор с управлением напряжением, управляемый напряжением

Q Значение Диапазон измерения: трехзначный дисплей от 1 до 1000, ± 1q разрешение

Регулируемый диапазон емкости: 40 ~ 500PF ΔC ± 3PF

Ошибка измерения емкости: ± 1% ± 1PF

Q Таблица остаточная индуктивность: около 20 нх

Диэлектрический постоянный тестер функции:

◎ Инновационная технология автоматического удержания Q-значения компании позволяет измерять разрешение Q до 0,1Q, что приводит к разрешению TAN Δ 0,00005.

◎ Испытание на угол диэлектрического потери (TAN Δ) и диэлектрическую простую (ε) твердого изоляционного материала при 10 кГц до 120 МГц.

◎ Остаточная индуктивность петли настройки составляет всего 8NH, что гарантирует меньшую ошибку в (tanΔ) и (ε) 100 МГц.

◎ Специальное меню ЖК-экрана отображает мультипараметры: значение Q, частота тестирования, состояние настройки и т. Д.

◎ Q Значения диапазона автоматического / ручного диапазона управления.

◎ DPLL Синтез 1 кГц ~ 60 МГц, 50 кГц ~ 160 МГц. Независимый вывод источника сигнала, поэтому этот блок является составным источником сигнала.

◎ Тестовое устройство соответствует требованиям национального стандарта GB/T 1409-2006, American Standard ASTM D150 и IEC60250.

Диэлектрический постоянный тестер работает от 10 кГц до 120 МГц и способен проверять высокочастотные диэлектрические потери (TAN Δ) и диэлектрическую проницаемость (ε) материалов на рабочей частоте.

Испытательное устройство в этом приборе состоит из конденсатора пластины и линейного конденсатора микроцилиндра. Конденсатор пластины обычно используется для зажатия образца, который будет протестирован, и Q -метр используется в качестве указанного прибора.

Потеря, касающаяся изоляционного материала, рассчитывается с помощью формулы путем размещения измеренного образца в конденсатор пластины и не изменяя значение Q образца и шкалу тошины.

Аналогичным образом, емкость считывания линейного конденсатора MicroCapacitor изменяется, а диэлектрическая постоянная рассчитывается формулой.